发明名称 |
高活性高耐受甲醛降解菌及其应用 |
摘要 |
本发明提供了一株高活性高耐受甲醛降解菌及其在微生物降解甲醛中的应用。本发明恶臭假单胞菌(Pseudomonasputida)xyz-zjut,保藏于典型培养物保藏中心,地址:湖北省武汉市珞珈山武汉大学,430072,保藏日期2010年5月23日,保藏号为CCTCC No:M2010125。本发明的有益效果主要体现在:本发明提供了一株高活性高耐受甲醛降解菌及其应用方法,为生物防治处理甲醛提供了基础,应用前景广阔。 |
申请公布号 |
CN101993837B |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
申请号 |
CN201010204536.7 |
申请日期 |
2010.06.21 |
申请人 |
浙江工业大学 |
发明人 |
钟卫鸿;金晶;邱乐泉;吴石金;钟莉;徐云;郑重;陈建孟 |
分类号 |
C12N1/20(2006.01)I;C02F3/34(2006.01)I;B01D53/84(2006.01)I;B01D53/72(2006.01)I;A62D3/02(2007.01)I;C12R1/40(2006.01)N;C02F101/36(2006.01)N;A62D101/28(2007.01)N |
主分类号 |
C12N1/20(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天正专利事务所有限公司 33201 |
代理人 |
黄美娟;冷红梅 |
主权项 |
一株高活性高耐受甲醛降解菌——恶臭假单胞菌(Pseudomonas putida)xyz‑zjut,保藏于中国典型培养物保藏中心,地址:湖北省武汉市珞珈山武汉大学,430072,保藏日期2010年5月23日,保藏号为CCTCCNo:M 2010125。 |
地址 |
310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区 |