等离子体处理装置及聚焦环组件

摘要

本发明提供一种等离子体处理装置及聚焦环组件，所述等离子体处理装置包括：处理腔室；设置在处理腔室内的基座；设置在基座上方的适于吸附半导体晶片的静电吸盘；设置在基座上并环绕静电吸盘的聚焦环组件，其包括呈环形的第一聚焦环、第二聚焦环，第一聚焦环内设有凹槽，第二聚焦环位于凹槽内，聚焦环组件的一部分位于半导体晶片下方，另一部分环绕在半导体晶片的周围，第二聚焦环位于半导体晶片下方。利用等离子体处理装置对半导体晶片进行等离子体处理时能有效改善半导体晶片背面的污染问题，同时，半导体晶片能获得竖直的刻蚀断面，提高了集成电路的性能。

主权项

一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理腔室；设置在所述处理腔室内的基座；设置在所述基座上方的适于吸附半导体晶片的静电吸盘；设置在所述基座上并环绕所述静电吸盘的聚焦环组件，其包括呈环形的第一聚焦环、第二聚焦环，所述第一聚焦环内设有凹槽，所述第二聚焦环位于所述凹槽内，所述聚焦环组件的一部分位于半导体晶片下方，另一部分环绕在半导体晶片的周围，所述第二聚焦环的内径小于或等于半导体晶片的直径，所述第二聚焦环的外径大于半导体晶片的直径，使所述第二聚焦环位于半导体晶片下方。