超高压锗硅HBT晶体管器件的结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种超高压锗硅HBT晶体管器件的结构，包括衬底、两个P埋层、两个N埋层、浅沟槽隔离结构、集电区、锗硅基区、发射区、接触孔和深阱接触孔，N埋层分别连接在集电区两侧，并与深阱接触孔连接，以引出集电区；浅沟槽隔离结构中制作有与锗硅基区连接的多晶硅场板。本发明还公开了上述结构的锗硅HBT的制备方法。本发明通过在有源区两侧制作N型重掺杂赝埋层，在场氧区引入基区场板，并将集电区划分为轻掺杂和重掺杂区，通过深接触孔引出，不仅大大缩减了器件的尺寸，而且改善了集电区的电场分布，提高了BC结击穿电压，进而提高了锗硅HBT器件的击穿电压。

主权项

超高压锗硅HBT晶体管器件的结构，包括衬底、两个P埋层、集电区、锗硅基区和发射区，锗硅基区和发射区的电极通过接触孔引出；其特征在于，所述集电区两侧分别连接有一个N埋层，该N埋层位于P埋层旁，且该N埋层上连接有一个深阱接触孔；N埋层和P埋层上方有浅沟槽隔离结构，该浅沟槽隔离结构中包含有多晶硅场板，该多晶硅场板通过金属引线与锗硅基区连接。