用于浮置栅极存储单元的编程和擦除结构以及制造方法

摘要

一种浮置栅极存储单元(10)具有浮置栅极，在该浮置栅极中有两个浮置栅极层(18、22)。蚀刻上层(22)以在上层(22)中提供轮廓，同时留下下层(18)未改变。控制栅极(38)沿着浮置栅极(22)的轮廓以增加它们之间的电容。浮置栅极的两个层(18、22)可以是由很薄的蚀刻停止层(20)隔开的多晶硅。该蚀刻停止层(20)足够厚以在多晶硅蚀刻期间提供蚀刻停止但优选足够薄以电透明。电子能够在两个层(22、18)之间容易移动。由此上层(22)的蚀刻没有延伸到下层(18)中，但为了浮置栅极是连续的导电层，第一(18)和第二层(22)具有电性效应。

主权项

一种用于形成浮置栅极器件的方法，该方法包括：提供半导体衬底(12)；在所述半导体衬底上方形成栅极电介质层(16)；在所述栅极电介质层上方形成第一浮置栅极层(18)；在所述第一浮置栅极层上方形成蚀刻停止层(20)；在所述第一浮置栅极层和所述蚀刻停止层上方形成第二浮置栅极层(22)；在所述第二浮置栅极层上方形成图案化的掩模层(33)，其中所述图案化的掩模层具有开口(34)；执行蚀刻，通过所述开口(34)通过所述第二浮置栅极层，并且停止在所述蚀刻停止层(20)上；改变蚀刻化学药剂，以延伸所述开口通过所述蚀刻停止层(20)；以及在改变所述蚀刻化学药剂之后，形成电介质层(36)和控制栅极层(38)，其中，所述电介质层用作所述浮置栅极器件的控制栅极和浮置栅极(18，22)之间的层间电介质。