发明名称 干式空心电抗器匝间绝缘缺陷的定位方法
摘要 本发明公开了一种干式空心电抗器匝间绝缘缺陷的定位方法,含有以下步骤:步骤一,建立由工频电路与高频脉冲振荡电路相互叠加的叠加电路;步骤二,将干式空心电抗器的一端接入叠加电路的第一检测点,另一端接入叠加电路的第二检测点;步骤三,断开第二开关K1,接通第一开关K,干式空心电抗器L即接入高频脉冲振荡电路,判断干式空心电抗器L是否存在匝间绝缘缺陷,若有缺陷,则进行步骤四至步骤六,依次判断是否为金属性击穿、低阻击穿、高祖击穿并根据不同的缺陷性质进行定位。本发明填补了目前干式空心电抗器匝间绝缘缺陷无法定位的空白,实现了对缺陷进行精确定位。
申请公布号 CN102520311A 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN201210012362.3 申请日期 2012.01.10
申请人 广东电网公司电力科学研究院 发明人 徐林峰;林一峰;姚森敬;杨茹;彭向阳;刘平原;欧小波;郑晓光;何宏明
分类号 G01R31/06(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I 主分类号 G01R31/06(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 赵磊;曾旻辉
主权项 一种干式空心电抗器匝间绝缘缺陷的定位方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,建立由工频电路与高频脉冲振荡电路相互叠加的叠加电路,该叠加电路包括依次串联构成闭合回路的第一调压变压器、保护电阻、整流硅堆、充电电容、阻塞电感和补偿电容,所述保护电阻与所述第一调压变压器的第一输出端连接,所述补偿电容与所述第一调压变压器的第二输出端连接,所述整流硅堆与所述充电电容之间连接放电球隙的一端,放电球隙的另一端与所述第一调压变压器的第二输出端连接,所述补偿电容并联第二调压变压器,该第二调压变压器与所述第一调压变压器连接同一个交流电源,交流电源与第一调压变压器、第二调压变压器之间分别设有第一开关与第二开关,所述充电电容与所述阻塞电感之间设有与干式空心电抗器一端连接的第一检测点,所述补偿电容与所述第一调压变压器之间设有与干式空心电抗器另一端连接的第二检测点;步骤二,将干式空心电抗器的一端接入叠加电路的第一检测点,另一端接入叠加电路的第二检测点;步骤三,断开第二开关,接通第一开关,干式空心电抗器即接入高频脉冲振荡电路,判断干式空心电抗器是否存在匝间绝缘缺陷,若有缺陷,则进行步骤四;步骤四,金属性击穿的定位,断开第一开关,接通第二开关,干式空心电抗器即接入工频电路,匝间绝缘若为金属性击穿,则认为电抗器已经出现短路匝,施加工频电流,短路处的温度迅速升高,短路匝温度也因短路电流而迅速升高,用红外热像仪进行精确定位,如果此时温度不升高,则进行步骤五;步骤五,低阻击穿的定位,匝间绝缘若为低阻击穿,同时接通第一开关和第二开关,在电抗器通过额定电流的情况下,使用高频脉冲电压击穿故障点出现匝间短路,此时击穿故障点的绝缘碳化变黑,出现烟雾,标示出故障点的位置;如果电源继续保持,则绕组会形成金属性匝间短路,用红外热像仪进行精确定位,如果此时温度不升高,则进行步骤六;步骤六,高阻击穿的定位,匝间绝缘若为高阻击穿,用声音探测装置进行探听,根据击穿点的高阻情况,调节高频脉冲回路的参数,断开第一开关和第 二开关,加大充电电容,再重新接通第一开关和第二开关,增加在高频脉冲击穿点弧道的能量,降低击穿故障点的绝缘,形成金属性匝间短路,用红外热像仪进行精确定位。
地址 510080 广东省广州市越秀区东风东路水均岗8号