发明名称 一种MEMS加速度开关
摘要 本发明提供了一种MEMS加速度开关,由衬底(5)、硅框架(8)、弧形悬臂梁(1)、环形质量块(2)、碰撞柱(3)、环形接触电极(4)和硅盖帽(7)组成。硅框架固定在衬底上,中心设有圆孔;碰撞柱位于硅框架中心,固定在衬底上;硅框架圆孔上均布一组悬空的弧形悬臂梁,弧形悬臂梁的端部与环形质量块连接;环形质量块与碰撞柱同心并具有一定的间隙;环形接触电极位于环形质量块下方并固定在衬底上。本发明采用环形碰撞结构,可以实现平面任意方向及垂直水平面方向等多个方向上信号检测,同时采用环形结构设计,提高了开关的抗高冲击能力。本发明具有结构精巧、加工工艺简单、便于批量制作等特点。
申请公布号 CN102522262A 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN201110419225.7 申请日期 2011.12.15
申请人 华东光电集成器件研究所 发明人 徐栋;郭群英;黄斌;方澍;陈璞;王文婧
分类号 H01H35/14(2006.01)I 主分类号 H01H35/14(2006.01)I
代理机构 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人 杨晋弘
主权项 一种MEMS加速度开关,其特征在于由衬底(5)、硅框架(8)、一组悬臂梁(1)、环形质量块(2)、碰撞柱(3)、环形接触电极(4)和盖帽(7)组成;硅框架(8)中心设有圆孔、并通过MEMS工艺固定在衬底(5)上;每个悬臂梁(1)的一端连接在硅框架圆孔的内侧并处于悬空状态;每个悬臂梁(1)的另一端连接于环形质量块(2)上,使环形质量块(2)悬空在衬底(5)上,并处于硅框架圆孔中;碰撞柱(3)固定在硅框架中心的衬底(5)上,碰撞柱(3)和环形质量块(2)同圆心、并具有3微米~20微米的环形间隙;环形接触电极(4)固定在环形质量块(2)下方的衬底上、和环形质量块在有一定间隙;在硅框架(8)上及碰撞柱(3)设有引出电极(6),盖帽(7)把一组悬臂梁和环形质量块封闭起来,盖帽上设有引出电极(6)的引出孔。
地址 233042 安徽省蚌埠市经济开发区财院路10号