发明名称 | 使用厚层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构 | ||
摘要 | 本发明披露了一种诸如太阳能电池、太阳板的光伏电池器件及其制造方法。该器件具有光学透明衬底,该衬底包括第一表面和第二表面。包括具有第一表面区和第二表面区的第一厚度的材料(例如,半导体材料、单晶材料)。在一个优选实施例中,该表面区与所述光学透明衬底的第一表面叠置。该器件具有设置在该厚度的材料的第一表面区和光学透明材料的第一表面之间的光学耦合材料。 | ||
申请公布号 | CN101473446B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
申请号 | CN200780022933.9 | 申请日期 | 2007.09.10 |
申请人 | 硅源公司 | 发明人 | 弗兰乔斯·J·亨利 |
分类号 | H01L31/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
主权项 | 一种用于使用大规模注入工艺制造光伏电池的方法,所述方法包括:提供瓦型半导体衬底,所述瓦型半导体衬底具有表面区、解理区和位于所述表面区和所述解理区之间且将被去除的第一厚度的材料;使用高能量注入工艺、通过所述表面区将能够以质子模式操作的多个氢粒子引入所述解理区的附近;将所述瓦型半导体衬底的所述表面区耦合至衬底的第一表面区,所述衬底包括所述第一表面区和第二表面区;对所述半导体衬底进行解理以从所述瓦型半导体衬底去除所述第一厚度的材料;以及至少由与所述衬底叠置的以瓦型为特征的所述第一厚度的材料形成太阳能电池。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |