蚀刻牺牲氧化硅层的方法

摘要

描述了一种释放微结构的受控的方法，该微结构包括位于衬底层与将要从氧化硅层释放的层之间的氧化硅层。该方法包括步骤：在具有受控的温度和压力条件的处理室中，使氧化硅层暴露于氟化氢蒸气。此反应的副产物是水，水还作为蚀刻过程的催化剂。以受控的方式利用此内在的水源，导致只在氧化物层的暴露表面上形成冷凝的流体层，且因而只在氧化物层的暴露表面上进行蚀刻。因此，所述方法减弱了在蚀刻的微结构内的毛细作用导致的黏附效应和/或减弱了微结构内的腐蚀以及处理室本身的腐蚀。

主权项

一种在蚀刻工艺中释放微结构的方法，所述微结构包括氧化硅层，所述氧化硅层位于衬底层与将要从所述氧化硅层释放的层之间，所述方法包括：在处理室中，将所述氧化硅层暴露于氟化氢蒸气；以及控制室参数，所述室参数包括所述氟化氢蒸气的分压、水蒸气的分压、室压力和待蚀刻的所述微结构的温度；其中，所述室参数被控制，以在所述氧化硅层的暴露表面上形成冷凝的流体层，并且利用氟化氢蒸气与氧化硅层发生反应而生成的副产物水，将蚀刻的冷凝的流体层限制到所述氧化硅层的暴露表面。