| 发明名称 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ |
| 摘要 |
Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий кремниевую пластину, отличающийся тем, что после формирования пористого слоя кремния на кремниевой пластине проводят азотирование слоя пористого кремния в среде аммиака при температуре 1000°С в течение 1-2 ч с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аммиака при давлении (9-10)·106 Па. |
| 申请公布号 |
RU2010152872(A) |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
| 申请号 |
RU20100152872 |
申请日期 |
2010.12.23 |
| 申请人 |
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет |
发明人 |
Мустафаев Гасан Абакарович (RU);Мустафаев Абдулла Гасанович (RU);Мустафаев Арслан Гасанович (RU) |
| 分类号 |
H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
