半导体器件

摘要

本发明提供了一种具有掩埋在沟槽中的栅电极的改进的半导体器件，其使得难以在栅电极的末端处在栅电极和源电极之间产生短路。沟槽形成在半导体衬底中。栅电极和掩埋绝缘膜掩埋在沟槽中。通过掩埋绝缘膜将源电极设置在栅电极之上。在栅电极的末端处，层间绝缘膜以该层间绝缘膜跨越沟槽的末端的方式设置在掩埋绝缘膜和源电极之间。掩埋绝缘膜和层间绝缘膜两者均起着绝缘膜的作用并且防止在栅电极的末端处短路。

主权项

一种半导体器件，包括：沟槽，其形成在半导体衬底中；栅电极，其掩埋在所述沟槽中；源区，其形成在所述衬底中；重掺杂体区，其形成在所述衬底中；绝缘膜，其包括掩埋绝缘膜和层间绝缘膜，其中所述掩埋绝缘膜掩埋在所述沟槽中并且设置在所述栅电极上，所述层间绝缘膜位于所述沟槽之外，并且所述层间绝缘膜跨越所述沟槽的末端；以及，源电极，其设置在所述栅电极之上，并且连接到所述源区、所述重掺杂体区以及所述掩埋绝缘膜，其中，以使得所述绝缘膜跨越在所述沟槽旁边的所述半导体衬底的一部分的方式，使该绝缘膜设置在所述栅电极和所述源电极之间。