发明名称 显示装置
摘要 本发明的目的在于提供一种包括由其尺寸小且耐压性高的薄膜晶体管构成的保护电路的显示装置。在显示装置的保护电路中,使用重叠有非晶半导体层、微晶半导体层、接触于该微晶半导体层的栅极绝缘层、以及栅电极层的薄膜晶体管。因为微晶半导体层的电流驱动能力高,所以可以缩小晶体管的尺寸。此外,通过具有非晶半导体层,可以提高耐压性。在此,显示装置是指液晶显示装置或者发光装置。
申请公布号 CN101355089B 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN200810144235.2 申请日期 2008.07.22
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 黑川义元;池田隆之
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 侯颖媖
主权项 一种显示装置,包括:输入端子;像素部;以及在所述输入端子和所述像素部之间的至少具有薄膜晶体管的保护电路,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:栅电极;覆盖所述栅电极的栅极绝缘层;所述栅极绝缘层上的微晶半导体层;所述微晶半导体层上的缓冲层;所述缓冲层上的源区及漏区;接触于所述源区的源电极;以及接触于所述漏区的漏电极,其中重叠于所述源区及所述漏区的所述缓冲层的区域,厚于重叠于沟道形成区的缓冲层的区域,在所述源电极及所述漏电极上设置包括第一开口部和第二开口部的保护绝缘层,所述第一开口部设置为到达所述源电极和所述漏电极中的一个,所述第二开口部设置为到达所述栅电极,在所述保护绝缘层上设置使所述第一开口部和所述第二开口部连接的电极。
地址 日本神奈川县