发明名称 |
一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法,该方法为:一、将炭/炭加热器置于CVD炉内,通入碳源气体,在炭/炭加热器表面生成一层热解炭涂层;二、将装有固体硅料的石墨坩埚置于反应炉内,将表面生成热解炭涂层的炭/炭加热器置于石墨坩埚内的多孔石墨支架上,在温度为1500℃~1800℃,真空度为100Pa~3000Pa的条件下保温1h~4h,利用硅蒸气和热解炭反应生成一层SiC涂层。本发明的方法首先在炭/炭加热器表面沉积一层热解炭涂层,然后原位生成SiC涂层,保证加热器具有满足使用要求的电阻性能,同时防止SiCl4、HCl等气体对加热器的腐蚀,提高抗冲刷能力,延长使用寿命。 |
申请公布号 |
CN102515871A |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
申请号 |
CN201110376788.2 |
申请日期 |
2011.11.23 |
申请人 |
西安超码科技有限公司 |
发明人 |
张永辉;肖志超;苏君明;彭志刚;侯卫权;马昆松;曹厚华;赵俊 |
分类号 |
C04B41/89(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/89(2006.01)I |
代理机构 |
西安创知专利事务所 61213 |
代理人 |
谭文琰 |
主权项 |
一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、将炭/炭加热器置于CVD炉内,在温度为800℃~1200℃,氮气或氩气为保护气体的条件下,向CVD炉内通入碳源气体10h~50h,在炭/炭加热器表面生成一层热解炭涂层;步骤二、将装有固体硅料的石墨坩埚置于反应炉内,将步骤一中表面生成热解炭涂层的炭/炭加热器置于石墨坩埚内的多孔石墨支架上,在温度为1500℃~1800℃,真空度为100Pa~3000Pa的条件下,保温1h~4h,利用硅蒸气和炭/炭加热器表面的热解炭反应生成一层SiC涂层,得到炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层。 |
地址 |
710075 陕西省西安市高新区高新路42号金融大厦1802室 |