一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于，分两步制备材料，首先将高纯度的La2O3与Na2CO3、SrCO3、MnO2化学试剂按名义组分进行配料，研磨后按温度梯度经几次煅烧，制备钙钛矿结构母体材料La8/9Sr1/45Na4/45MnO3微粉，然后将制得的微粉晶体与V2O5粉末按比例混合，研磨，压制，煅烧得到最终产品。本发明的材料在室温区具有很好的温度稳定性，在这个温区MR几乎不变在磁传感器、磁存储等方面具有实用价值。

主权项

一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于，分两步制备材料，具体包括以下步骤：第一步，制备钙钛矿结构母体材料La8/9Sr1/45Na4/45MnO3微粉：（1）将高纯度的La2O3 在580‑620 ℃下脱水5‑7 h ；（2）将脱水后的La2O3与高纯度Na2CO3 、SrCO3、MnO2化学试剂按名义组分进行配料，研磨35‑45 min；（3）将研磨充分的混合料在空气中880‑920 ℃预烧23‑25 h，让其自然冷却；（4）取出冷却后的样品再次研磨35‑45 min，然后在1050‑1150 ℃下再次煅烧23‑25 h，让其自然冷却；（5）再取出步骤（4）冷却后的样品，研磨35‑45 min，在1150‑1250 ℃锻烧23‑25 h，然后获得良好的结晶体；第二步，制作复合相结构磁电阻材料：（1）将第一步制得的粉体La8/9Sr1/45Na4/45MnO3与高纯度的V2O5粉末按5:（3.8‑4.2）的摩尔比混合，充分研磨35‑45 min，在28 MPa压强下压制成薄的圆片；（2）然后将压好的圆片在空气中950‑1050 ℃下煅烧2.5‑3.5 h后，随炉冷却，得到室温区温度稳定的低场磁电阻材料。