用于薄膜太阳能应用的微晶硅沉积

摘要

如权利要求所述的本发明的实施例涉及一种薄膜多结太阳能电池以及用于形成该太阳能电池的方法与设备。在一个实施例中提供了一种在基板上方形成薄膜多结太阳能电池的方法。该方法包括：在反应区中放置基板；将混合气体提供至反应区，其中所述混合气体包括含硅化合物和氢气；以第一沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第一区域；以高于第一沉积速率的第二沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第二区域；以及以低于第二沉积速率的第三沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第三区域。

主权项

一种在基板上方形成薄膜多结太阳能电池的方法，包括：形成第一p‑i‑n结，包括：在所述基板上方形成p型非晶硅层；在所述p型非晶硅层上方形成本征型非晶硅层；和在所述本征型非晶硅层上方形成第一n型硅层；以及在所述第一p‑i‑n结上方形成第二p‑i‑n结，包括：形成p型微晶硅层；在所述p型微晶硅层上方形成非晶硅势垒层；在所述非晶硅势垒层上方形成本征型微晶硅层，其中形成所述本征型微晶硅层包括：以第一沉积速率形成所述本征型微晶硅层的第一区域；以高于所述第一沉积速率的第二沉积速率，在所述本征型微晶硅层的第一区域上方形成所述本征型微晶硅层的第二区域；和以低于所述第二沉积速率的第三沉积速率，在所述本征型微晶硅层的第二区域上方形成所述本征型微晶硅层的第三区域；以及在所述本征型微晶硅层上方形成第二n型硅层。