还原多晶硅的方法

摘要

本发明涉及还原多晶硅的方法，属于多晶硅生产领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种还原多晶硅的方法，该方法可以提高多晶硅的沉积速率。本发明还原多晶硅的方法为：在压力0.3～0.6Mpa的还原炉内通入摩尔比为0.15～0.5∶1的三氯氢硅和氢气进行还原。本发明方法提高了多晶硅还原时的压力，提高了反应速率和多晶硅的沉积速率，大大的缩短了多晶硅还原沉积的生产周期，提高了物料利用率，节约了能耗，具有广阔的应用前景。

主权项

还原多晶硅的方法，其特征在于：在压力为0.3～0.6MPa的还原炉内通入摩尔比为0.15～0.5∶1的三氯氢硅和氢气于1000～1200℃进行还原；其中，所述的三氯氢硅和氢气在通入还原炉前先在三氯氢硅气化装置中混合均匀，三氯氢硅气化装置中的压力为0.5～1.3MPa，三氯氢硅气化装置中的压力大于还原炉的压力；氢气和三氯氢硅混合时，氢气通入三氯氢硅气化装置的速度为40～1500Nm3/h，三氯氢硅通入三氯氢硅气化装置的速度为100～3000kg/h。