横向双极结型晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种横向双极结型晶体管及其制造方法。横向双极结型晶体管包含：发射区、环绕发射区的基区、设置于至少一部分基区之上的栅极、环绕基区的集电区、在栅极边缘与集电区之间的轻掺杂漏极区、设置于轻掺杂漏极区之上或越过轻掺杂漏极区的硅化物阻挡层、以及形成于至少一部分集电区之上的集极金属硅化物，其中在栅极的间隔物的边缘与集电区之间具有偏置。上述双极结型晶体管及其制造方法能够使晶体管具有更好的双极性能及高崩溃电压。

主权项

一种横向双极结型晶体管，包含：发射区；基区，环绕该发射区；栅极，设置于至少一部分该基区之上；集电区，环绕该基区，在该集电区与该栅极的间隔物的边缘之间具有偏置；轻掺杂漏极区，设置于该栅极的边缘与该集电区之间；硅化物阻挡层，设置于该轻掺杂漏极区之上或越过该轻掺杂漏极区；以及集极金属硅化物，形成于至少一部分该集电区之上。