| 发明名称 | 一种多晶硅棒的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种多晶硅棒的制备方法，该方法包括：向钟罩式还原炉内的硅芯施加高压，使所述硅芯被击穿；降低连接硅芯的电源的电压，使硅芯的温度维持在1130℃～1150℃；向钟罩式还原炉内通入具有预设摩尔比的三氯氢硅和氢气，使二者在硅芯表面反应生成硅，所述硅芯和其表面生成的硅统称为多晶硅棒；根据多晶硅棒的直径调整连接硅芯的电源的频率，使多晶硅棒表面产生趋肤效应，且使多晶硅棒的温度维持在1130℃～1150℃。采用本发明所提供的方法可制备出直径大于300mm的多晶硅棒。 | ||
| 申请公布号 | CN102515166A | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN201110430208.3 | 申请日期 | 2011.12.20 |
| 申请人 | 国电宁夏太阳能有限公司 | 发明人 | 侯俊峰;武在军;李峰;杨光军;毕明锋;张滨泉 |
| 分类号 | C01B33/03(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/03(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种多晶硅棒的制备方法，其特征在于，包括：向钟罩式还原炉内的硅芯施加高压，使所述硅芯被击穿；降低连接硅芯的电源的电压，使硅芯的温度维持在1130℃～1150℃；向钟罩式还原炉内通入具有预设摩尔比的三氯氢硅和氢气，使二者在硅芯表面反应生成硅，所述硅芯和其表面生成的硅统称为多晶硅棒；根据多晶硅棒的直径调整连接硅芯的电源的频率，使多晶硅棒表面产生趋肤效应，且使多晶硅棒的温度维持在1130℃～1150℃。 | ||
| 地址 | 753202 宁夏回族自治区石嘴山市惠农区河滨工业园国电宁夏太阳能有限公司 | ||