一种功率器件终端环的制造方法及其结构

摘要

本发明提出一种功率器件终端环的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上由下至上依次形成功率器件的硅衬底和场氧化层；通过光刻工艺在场氧化层上的掩膜层中形成终端环光刻窗口；在终端环光刻窗口内干法蚀刻部分厚度的场氧化层，形成第一终端环窗口；在第一终端环窗口内湿法蚀刻场氧化层，形成第二终端环窗口；去除掩膜层，在第二终端环窗口内进行硼离子注入后再进行退火工艺，在功率器件的硅衬底中形成终端环。本发明还提出一种功率器件终端环，通过采用干法蚀刻与湿法蚀刻相结合技术形成的功率器件终端环，降低了传统制造工艺只用湿法蚀刻或干法蚀刻场氧化层形成终端环的不稳定性，提高产品的可靠性，具有很强的工艺鲁棒性，适合大批量生产。

主权项

一种功率器件终端环的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成功率器件的硅衬底，在所述功率器件的硅衬底上生长场氧化层；在所述场氧化层上沉积掩膜层，通过光刻工艺在掩膜层中形成终端环光刻窗口；在终端环光刻窗口内干法蚀刻部分厚度的场氧化层，在所述场氧化层中形成第一终端环窗口；在所述第一终端环窗口内湿法蚀刻场氧化层，蚀刻停止在所述功率器件的硅衬底表面上，形成第二终端环窗口；去除掩膜层后，对所述第二终端环窗口内暴露出的功率器件的硅衬底表面进行热氧化，形成氧化层；在所述第二终端环窗口内进行硼离子注入后再进行退火工艺，在所述功率器件的硅衬底中形成终端环。