发明名称 曝光用掩模、图案复制方法
摘要 准备形成有掩模图案的掩模,其中所述掩模图案具有将原图案分离为至少两个部分图案的形状,所述至少两个部分图案是隔着比分辨率极限细的间隔而配置的。获得第一关系,所述第一关系为隔开部分图案的间隔宽度和在复制该掩模图案时形成于衬底上的的图案的尺寸之间的关系。根据需形成在衬底上的图案尺寸和第一关系,决定使构成掩模图案的部分图案相互隔开的间隔宽度。基于所决定的间隔宽度,在掩模上形成分离为至少两个部分图案的掩模图案。
申请公布号 CN102520577A 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN201210020733.2 申请日期 2005.08.11
申请人 富士通半导体股份有限公司 发明人 杉本文利
分类号 G03F1/38(2012.01)I;G03F1/36(2012.01)I;G03F1/32(2012.01)I 主分类号 G03F1/38(2012.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 董雅会;郭晓东
主权项 一种曝光用掩模,其特征在于,具有:掩模衬底,掩模图案,其形成在所述掩模衬底上,而且在内部包括一个辅助图案;而且,在既位于该掩模图案内部又位于该辅助图案外侧的区域的光透射率,比该辅助图案内部的光透射率以及该掩模图案外侧的光透射率都低或者都高,该掩模图案的外形为顶点数目比该辅助图案还少的多角形,该辅助图案的尺寸比分辨率极限还小,所述掩模图案具有在第一方向上长的等宽的形状,所述辅助图案也具有在第一方向上长的形状,该辅助图案在其至少一侧端包括宽度比中央部还窄的部分。
地址 日本神奈川县横滨市