高压超结MOSFET结构及P型漂移区形成方法

摘要

本发明提出一种高压超结MOSFET的P型漂移区形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上生长第一N型外延层；向所述第一N型外延层进行硼离子注入，形成硼注入区；在已注入离子的第一N型外延层上由下至上依次生长第二N型外延层和氧化膜；依次蚀刻氧化膜、第二N型外延层，在对应于硼注入区部位形成沟槽，蚀刻停止在所述第一N型外延层上；对所述沟槽的侧壁进行倾角注入，形成掺杂层；去除氧化膜后，在第二N型外延层上和所述沟槽中生长第三N型外延层；将上述结构进行退火工艺，形成P型漂移区。通过采用外延与沟槽相结合技术，在显著降低导通电阻和提高击穿电压的基础上，简化了工艺又降低了工艺难度，适宜批量生成。

主权项

一种高压超结MOSFET的P型漂移区形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上生长第一N型外延层；向所述第一N型外延层进行硼离子注入，形成硼注入区；在已注入离子的第一N型外延层上由下至上依次生长第二N型外延层和氧化膜；依次蚀刻氧化膜、第二N型外延层，在对应于硼注入区部位形成沟槽，蚀刻停止在所述第一N型外延层上；对所述沟槽的侧壁进行硼离子倾角注入，形成掺杂层；去除氧化膜后，在第二N型外延层上和所述沟槽中生长第三N型外延层；将上述结构进行退火工艺，使硼注入区和掺杂层中的硼离子进行扩散，形成P型漂移区。