发明名称 | 用于STI型LDMOS器件的界面陷阱测试方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于STI型LDMOS器件的界面陷阱测试方法,涉及高压半导体器件可靠性技术领域,该方法在STI型LDMOS器件的源极和衬底之间、漏极和衬底之间施加同一个正向偏置电压,同时施加栅极扫描电压,并测量衬底电流,由衬底电流的峰值的位置确定界面陷阱在STI型LDMOS器件中的STI区或沟道区。本发明直接利用STI型LDMOS器件为测试结构,节省了测试成本,且便于在测试中同时获取了STI区和沟道区界面陷阱的位置信息,且不对STI型LDMOS器件造成损伤。 | ||
申请公布号 | CN102520331A | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
申请号 | CN201110397005.9 | 申请日期 | 2011.12.02 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 何燕冬;张钢刚;刘晓彦;张兴 |
分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
主权项 | 一种用于STI型LDMOS器件的界面陷阱测试方法,其特征在于,在STI型LDMOS器件的源极和衬底之间、漏极和衬底之间施加同一个正向偏置电压,同时施加栅极扫描电压,并测量衬底电流,由衬底电流的峰值的位置确定界面陷阱在STI型LDMOS器件中的STI区或沟道区。 | ||
地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 |