发明名称 |
n-i-n型电光调制器 |
摘要 |
本发明涉及光通信中的光电子器件领域,公开了一种n-i-n型电光调制器,从下至上依次包括:衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层,上、下限制层为N型掺杂结构;所述有源层的禁带宽度为Eg1、折射率为n1,上、下导波层的禁带宽度为Eg2、折射率为n2,上、下限制层的禁带宽度为Eg3、折射率为n3,禁带宽度满足Eg1>Eg3>Eg2的关系,折射率满足n2>n1>n3的关系。本发明能够改善电光调制器的调制特性。 |
申请公布号 |
CN102520531A |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
申请号 |
CN201110424539.6 |
申请日期 |
2011.12.16 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
孙长征;郭丽丽;熊兵;罗毅;赵湘楠 |
分类号 |
G02F1/017(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/017(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种n‑i‑n型电光调制器,从下至上依次包括:衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层,其特征在于,上、下限制层为N型掺杂结构;所述有源层的禁带宽度为Eg1、折射率为n1,上、下导波层的禁带宽度为Eg2、折射率为n2,上、下限制层的禁带宽度为Eg3、折射率为n3,禁带宽度满足Eg1>Eg3>Eg2的关系,折射率满足n2>n1>n3的关系。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱 |