发明名称 发光二极管的制作方法
摘要 本发明公开了一种发光器件制作方法。发光二极管的制作方法,包括如下步骤:提供一蓝宝石生长衬底,在其正面上形成发光外延结构,其由下而上包含第二半导体层,有源层以及第一半导体层;对所述生长衬底进行减薄抛光,在其背面上形成第一保护层;在前述生长衬底背面进行激光图案划痕;在发光外延结构的外表面上形成第二保护层;对生长衬底进行湿法蚀刻,形成图案结构;去除第一及第二保护层;在第一半导体层上形成第一电极,在第二半导体层上形成第二电极;提供一支撑基板,将第一电极与第二电极采用覆晶封装于支撑基板上,完成发光二级管的制程。
申请公布号 CN102522465A 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN201110446840.7 申请日期 2011.12.28
申请人 厦门市三安光电科技有限公司 发明人 黄少华;吴志强
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 发光二极管的制作方法,包括如下步骤:提供一蓝宝石生长衬底,在其正面上形成发光外延结构, 其由下而上包含第二半导体层, 有源层以及第一半导体层;对所述生长衬底进行减薄抛光,在其背面上形成第一保护层; 在前述生长衬底背面进行激光图案划痕;在发光外延结构的外表面上形成第二保护层;对生长衬底进行湿法蚀刻,形成图案结构;去除第一及第二保护层;在第一半导体层上形成第一电极,在第二半导体层上形成第二电极;提供一支撑基板,将第一电极与第二电极采用覆晶封装于支撑基板上, 完成发光二级管的制程。
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