高、低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管组合封装

摘要

本发明公开了一种电路封装组件。本发明包括一个导电衬底，一个高压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其源极位于面向电导电衬底表面的一侧且具有电接触；一个低压侧标准N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其漏极位于面向导电衬底的一侧且具有电接触。和传统的封装相比，高压侧和低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的此种组合封装可以减少封装包的尺寸、寄生电感和电容。

主权项

一种电路封装组件，包括一个共同芯片衬垫；一个具有源极电触点的第一垂直N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述的源极位于面向共同芯片衬垫表面的一侧且电接触该共同芯片衬垫；一个具有漏极电触点的第二垂直N沟道金属氧化物场效应晶体管，所述的漏极位于面向共同芯片衬垫的一侧且电接触该共同芯片衬垫；所述的第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管是一个高压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述的第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管是一个低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；所述的高压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极衬垫和低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极衬垫分别位于高压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体背对共同芯片衬垫的一侧，而所述的各自的漏极衬垫和源极衬垫则分别通过第一和第二连接金属板连接到漏极和源极引线；所述的第一连接金属板包括若干形成于其上的第一凹槽，该凹槽将漏极引线连接到高压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极衬垫，该凹槽置于连接金属板上以提供和漏极的连接；所述的第二连接金属板包括若干第二凹槽，该凹槽将源极引线连接到低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极衬垫，该凹槽置于连接金属板上以提供和源极的连接。