| 摘要 |
Способ измерения локального магнитоэлектрического коэффициента в мультиферроидных материалах и гетероструктурах, заключающийся в создании магнитного поля вдоль поверхности одной наружной стороны мультиферроидного материала или гетероструктуры и электрического поля между электродами, закрепленными на этом материале или гетероструктуре, отличающийся тем, что электрическое поле формируют на планарно расположенных на наружной стороны мультиферроидного материала или гетероструктуры электродов малой емкостью с пространственным разрешением от 100 до 1 мкм, направляют падающее под углом к поверхности наружной стороны мультиферроидного материала или гетероструктуры, на которой размещены указанные электроды, излучение, которое регистрируют по второй оптической генерируемой в мультиферроидном материале или гетероструктуре гармонике для последующего измерения магнитоэлектрического коэффициента по изменению интенсивности второй оптической гармоники этого излучения в той же точке мультиферроидного материала или гетероструктуры при сохранении приложения магнитного поля. |
