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Dispositivo semiconductor que comprende: una capa de germanio de tipo p (20); una capa de nucleación (22) sobre la capa de germanio de tipo p (20), incluyendo la capa de nucleación un compuesto binario de los grupos III-V seleccionado del grupo que consiste en AlAs, AlSb, AlN, BAs, BSb, GaN, GaSb, InN, y InAs; y una primera capa de compuesto de los grupos III-V (24) sobre la capa de nucleación, incluyendo la primera capa de compuesto de los grupos III-V (24) al menos uno de GaInP, AlInP, y AlGaInP; en el que la capa de germanio de tipo p (20) incluye átomos de fósforo que han sido difundidos desde la primera capa de compuesto de los grupos III-V (24), siendo la concentración de los átomos de fósforo en la capa de germanio de tipo p (20) una función del grosor de la capa de nucleación (22); y en el que la primera capa de compuesto de los grupos III-V incluye átomos de germanio que han sido difundidos desde la capa de germanio de tipo p (20), siendo también la concentración de los átomos de germanio en la primera capa de compuesto de los grupos III-V una función del grosor de la capa de nucleación (22); y en el que el grosor de la capa de nucleación (22) oscila entre 1 y 20 monocapas.
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