发明名称 | LED外延片 | ||
摘要 | 本发明提供了一种LED外延片包括:依次叠置的衬底、氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、P型氮化镓层、透明导电层、P型电极和形成于经刻蚀的N型氮化镓层上的N型电极,还包括插入层,插入层介于氮化镓缓冲层与N型氮化镓层之间;插入层为AlxGa1-xN层或InyAl1-yN层或由AlxGa1-xN层和InyAl1-yN层叠置组成,0.1<x<1.0,0<y<0.25。本发明提供的LED外延片主要利用纤锌矿III-Ns材料的自发极化和压电极化作用,在外延片内的异质界面上由大的极化差诱导产生高浓度的二维电子气,由于二维电子气具有高的电子浓度和高的迁移率,可以提高电子在N型氮化镓层的横向运动,从而提高载流子的注入效率,进而提高LED的发光效率。 | ||
申请公布号 | CN102522471A | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
申请号 | CN201110451083.2 | 申请日期 | 2011.12.29 |
申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 苗振林 |
分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明 |
主权项 | 一种LED外延片,包括:依次叠置的衬底(1)、氮化镓成核层(2)、氮化镓缓冲层(3)、N型氮化镓层(4)、P型氮化镓层(6)、透明导电层(7)、P型电极(8)和形成于经刻蚀的所述N型氮化镓层(4)上的N型电极(9),其特征在于,还包括插入层(31),所述插入层(31)介于所述氮化镓缓冲层(3)与所述N型氮化镓层(4)之间;所述插入层(31)为AlxGa1‑xN层或InyAl1‑yN层或由所述AlxGa1‑xN层和InyAl1‑yN层叠置组成,0.1<x<1.0,0<y<0.25。 | ||
地址 | 423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园 |