半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供了形成有用于提供在栅宽方向的凹部的槽部、并有利用栅绝缘膜在槽部顶面内及顶面上提供栅极的半导体装置。通过去除形成在邻近栅极的厚氧化物膜，源区和漏区各自的表面的至少一部分做得比该表面的其它部分低。把源区和漏区各自的表面的所述部分做得更低允许以高密度流过栅极凹部的顶面的电流均匀地流过整个槽部，这增加了凹部的有效栅宽以使在栅宽方向具有变化的深度。

主权项

一种半导体装置，包括：第一传导率型半导体衬底；槽部，所述槽部设置在所述第一传导率型半导体衬底上，在栅宽方向具有侧面和底面；栅极，所述栅极通过栅绝缘膜设置在所述槽部内及平面部的顶面的上方；第二传导率型的源区，所述第二传导率型的源区设置在所述栅极的一侧上；以及第二传导率型的漏区，所述第二传导率型的漏区设置在所述栅极的另一侧上，其中，所述源区和所述漏区中邻近所述栅极的表面具有布置在比所述表面的其它部分更低位置中的至少一部分，并且其中所述源区和所述漏区在所述表面的所述至少一部分的向下部分中具有比在所述表面的所述其它部分的向下部分中更深的扩散深度。