| 发明名称 | 有源区的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种有源区的形成方法，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成硬掩膜层；用干法刻蚀法刻蚀硬掩膜层后，用湿法腐蚀法对硬掩膜层进行横向刻蚀，形成有源区目标图形；以硬掩膜层为掩膜，沿有源区图形刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体衬底，形成有源区。本发明通过对硬掩膜层进行湿法腐蚀来打破光刻机工艺能力对有源区最小线宽的限制。 | ||
| 申请公布号 | CN102087960B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN200910251365.0 | 申请日期 | 2009.12.03 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 匡金;王乐;张明敏;邵永军 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种有源区的形成方法，其特征在于，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成光刻胶层，且在光刻胶层上定义出有源区图形；以光刻胶层为掩膜，沿有源区图形，用干法刻蚀法刻蚀硬掩膜层后，用湿法腐蚀法对硬掩膜层进行横向刻蚀，形成有源区目标图形；以硬掩膜层为掩膜，沿有源区图形刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层，形成有源区。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||