氧化锌纳米紫外光敏传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化锌纳米紫外光敏传感器的制备方法。该传感器至少包括水平排列的氧化锌纳米杆和导电薄膜电极，其制备方法是利用传统光刻工艺在衬底上做出插指电极的光刻胶掩膜，然后在衬底上沉积一层对ZnO具有亲和力的种子层上再沉积一层对ZnO不具有亲和力的钝化层，使用水热法这种低温且稳定具有高度重复性的方法生长ZnO纳米杆；由于纳米杆生长时的空间竞争，大部分纳米杆都平行于衬底生长并且在沟道中间连接，便形成了ZnO纳米紫外光敏传感器，具有较小的暗电流(1V偏压时约3nA)。本发明工艺简单、成本低廉，可大面积制备ZnO纳米传感器阵列，一次就位的工艺也保证了器件的性能。

主权项

一种氧化锌纳米紫外光敏传感器的制备方法，所述传感器至少包括衬底、水平排列的氧化锌纳米杆、种子层和具有钝化功能的插指电极导电薄膜，其特征在于采用如下具体步骤：步骤一，利用传统光刻工艺在衬底上做出插指电极的光刻胶掩膜，或者利用金属掩膜；步骤二，在步骤一得到的衬底上沉积一层对氧化锌具有亲和性的薄膜作为种子层，得到插指电极形状的薄膜；步骤三，在步骤二的产物上沉积一层对ZnO分子不具有亲和性的具有钝化功能的插指电极导电薄膜；步骤四，将步骤三得到的产物，置于高压反应釜内，使用浓度为0.001‑0.02mol/L的醋酸锌和六亚甲基四氨水溶液作为反应溶液，将衬底正面朝下置于液面处，密封后置于烘箱中65℃‑140℃下保温反应1‑3h，反应后将衬底用去离子水漂洗，置于烘箱中烘干，得到水平生长的ZnO阵列。