发明名称 具有重新分布层的半导体芯片
摘要 公开了一种具有重新分布层的半导体器件、以及形成其的方法。在晶片上制造半导体芯片之后,将带组件施加到该晶片的表面上,与该晶片上的每个半导体芯片的表面接触。带组件包括作为基础层的背磨带、以及粘合至该背磨带的膜组件。该膜组件转而包括上面沉积了一薄层的传导材料的粘合膜。使用例如激光器将重新分布层图案描绘到带组件中。此后,可以去除带组件的未加热部分,将加热的重新分布层图案留在每个半导体芯片上。
申请公布号 CN101765911B 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN200880022454.1 申请日期 2008.06.27
申请人 桑迪士克公司 发明人 廖建科;邱进添;张简荣杰;俞志明;赫姆·塔基亚
分类号 H01L23/04(2006.01)I 主分类号 H01L23/04(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 吴培善
主权项 一种从半导体晶片制造半导体封装的方法,所述半导体封装包括具有重新分布层的半导体芯片,所述方法包括步骤:(a)在所述半导体晶片的至少部分上应用带组件,所述带组件包括带、粘合层、以及施加到所述粘合层的传导材料,所述粘合层位于邻近所述半导体晶片;(b)以定义在所述半导体芯片的芯片焊垫的第一位置与要重新分布芯片焊垫的第二位置之间的路径的图案,将所述粘合层的部分粘合至所述半导体晶片上的所述半导体芯片的表面;以及(c)去除所述带组件的部分,留下粘合到所述半导体晶片的、在所述步骤(b)中定义的粘合层的图案、以及施加至在所述步骤(b)中定义的粘合层的图案的传导材料。
地址 美国加利福尼亚州