发明名称 |
一种梯度温度生长柔性衬底绒面结构ZnO薄膜 |
摘要 |
一种梯度温度生长柔性衬底绒面结构ZnO薄膜,采用MOCVD技术镀膜,以PET或PEN为柔性衬底,以二乙基锌和水为源材料,以氢稀释硼烷作为掺杂气体,生长B掺杂ZnO透明导电薄膜,镀膜过程中采用梯度温度生长技术,即先在120-130℃下在衬底上生长ZnO薄膜,然后在135-155℃下生长绒面ZnO薄膜。本发明的优点是:梯度温度生长技术改善PET或PEN衬底与ZnO薄膜之间的界面特性;衬底PET和PEN材料价格低廉且具有高透过率特性,便于大面积生产推广;获得ZnO薄膜可直接形成绒面结构,有利于光散射;该薄膜材料应用于PIN型a-Si薄膜太阳电池,光电转换效率高。 |
申请公布号 |
CN102191487B |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
申请号 |
CN201110087970.6 |
申请日期 |
2011.04.08 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
陈新亮;赵颖;张德坤;魏长春;张建军;张晓丹;耿新华 |
分类号 |
C23C16/52(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I |
主分类号 |
C23C16/52(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种梯度温度生长柔性衬底绒面结构ZnO薄膜,其特征在于:采用金属有机化学气相沉积技术镀膜,以聚乙烯对苯二甲酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)为柔性衬底,衬底温度120~160℃,以纯度为99.995%的二乙基锌(DEZn)和水为源材料,以氢稀释浓度为1%的硼烷B2H6作为掺杂气体,掺杂气体流量百分比含量为0.1%‑1%,生长B掺杂ZnO透明导电薄膜,镀膜过程中采用梯度温度生长技术,即第一步在温度为120‑130℃条件下在衬底上生长ZnO薄膜,然后第二步在温度为135‑155℃条件下在上述ZnO薄膜上生长绒面ZnO薄膜,即ZnO薄膜结构为柔性衬底/低温生长ZnO薄膜/正常温度生长绒面ZnO薄膜;ZnO薄膜总厚度为800~1500nm,镀膜反应压力为50Pa~600Pa。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |