发明名称 | 一种单层高活性二氧化钛薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及在不同基体上形成单层高活性(001)晶面占优二氧化钛薄膜的制备方法,具体为一种通过湿化学过程在金属钛或钛合金基底上生长由单层二氧化钛颗粒组成的(001)晶面占优二氧化钛薄膜的方法,解决(001)占优二氧化钛粉体很难形成(001)面全部位于表面以及很难形成致密结合紧密薄膜的问题。将基体上装入有氢氟酸水溶液的反应釜中,经100~200℃加热处理6h~24h,可得到单层(001)晶面占优的二氧化钛薄膜。单层(001)晶面二氧化钛薄膜由锐钛矿和金红石相组成,锐钛矿和金红石相的比例从95∶5到80∶20,厚度约为10~1000nm,(001)晶面比例可控,比例从20%到91%,该薄膜具有很好的光电化学分解水能力,也可望广泛和有效的应用于光催化器件。 | ||
申请公布号 | CN102021551B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
申请号 | CN200910187565.4 | 申请日期 | 2009.09.23 |
申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 成会明;王学文;刘岗;潘剑;李峰;逯高清 |
分类号 | C23C22/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C22/34(2006.01)I |
代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 张志伟 |
主权项 | 一种单层高活性二氧化钛薄膜的制备方法,其特征在于:首先,将表面含有金属钛或钛合金的基体上用无水乙醇和去离子水超声清洗后真空蒸干,得到表面无氧化层的前驱体;然后,将前驱体样品放入装有稀氢氟酸水溶液的反应釜中,反应釜密封后,放入烘箱加热处理,取出反应样品,用去离子水清洗并烘干,在基体表面生成由单层颗粒组成(001)晶面占优的二氧化钛薄膜。 | ||
地址 | 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |