发明名称 一种高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
摘要 本发明公开了一种高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,以通式(1-x)(KaNab)cLid(NbeTafSbg)O3-xBaZrO3表示,其中a、b、c、d、e、f、g为摩尔分数,0.35<a≤0.6、0.35<b≤0.6、0.92<c≤0.99、0<d≤025、0.74<e≤0.89、0.1<f≤0.3、0.01≤g<0.3;x表示BaZrO3对(KaNab)cLid(NbeTafSbg)O3的摩尔百分比,0≤x≤30%。此外还公开了上述高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法。本发明显著提高了陶瓷材料的压电和介电性能,从而获得性能优异且稳定的压电材料,应用中可完全取代传统的铅基压电陶瓷,具有重要的实际意义和社会效益。
申请公布号 CN102515760A 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN201110379137.9 申请日期 2011.11.24
申请人 景德镇陶瓷学院 发明人 李月明;肖祖贵;沈宗洋;王竹梅;洪燕;吴芬;刘涛
分类号 C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/495(2006.01)I
代理机构 广州广信知识产权代理有限公司 44261 代理人 李玉峰
主权项 一种高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,其特征在于:以通式(1‑x)(KaNab)cLid(NbeTafSbg)O3‑xBaZrO3表示,其中a、b、c、d、e、f、g为摩尔分数,0.35<a≤0.6、0.35<b≤0.6、0.92<c≤0.99、0<d≤0.25、0.74<e≤0.89、0.1<f≤0.3、0.01≤g<0.3;x表示BaZrO3对(KaNab)cLid(NbeTafSbg)O3的摩尔百分比,0≤x≤30%。
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