| 发明名称 | 沟槽式功率金氧半晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种沟槽式功率金氧半晶体管，具有一闸极、一汲极、一源极及一基板，其剖面结构包含：一第一掺杂型半导体，系形成该基板，并具一沟槽；二第二掺杂型半导体，系位于该基板上，并于该沟槽之一侧形成该汲极；于该沟槽之另一侧形成该源极；该沟漕系由该汲极及该源极之间向下延伸至该基板之中；一氧化层，系位于该沟槽内壁表面，并沿着该沟槽内壁表面由该汲极及该源极之间向下延伸至该基板；一多晶硅层，系位于该沟槽内，包覆于该氧化层之中，并形成该闸极。 | ||
| 申请公布号 | CN101364610B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN200710140433.7 | 申请日期 | 2007.08.10 |
| 申请人 | 力芯科技股份有限公司 | 发明人 | 焦世平;汤铭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人 | 高萍 |
| 主权项 | 一种沟槽式功率金氧半晶体管，具有一闸极、一汲极、一源极及一基板，其特征为其剖面结构包含：一第一掺杂型半导体，形成该基板，并具一沟槽；二第二掺杂型半导体，位于该基板上，并于该沟槽之一侧形成该汲极；于该沟槽之另一侧形成该源极；该沟槽系由该汲极及该源极之间向下延伸至该基板之中；一氧化层，位于该沟槽内壁表面，并沿着该沟槽内壁表面由该汲极及该源极之间向下延伸至该基板；一多晶硅层，系位于该沟槽内，包覆于该氧化层之中，并形成该闸极；其中更包含一浅沟槽绝缘，该浅沟槽绝缘位于该汲极与该闸极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市经国路一段675号8楼之2 | ||