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发明名称
一种AM60镁合金表面厚层处理方法
摘要
本发明公开了一种AM60镁合金表面厚层处理方法,属于AM60镁合金表面厚层处理研究领域,本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上,通过向处理液中喷入氧气以增强和改善对保护层的烧结作用,并在氟化钾浓度为406~408g/L、氢氧化钾浓度为188~190g/L、工频交流电压为114~116V、每升处理液氧气喷入量为0.01~0.016L/s条件下,对AM60镁合金进行119~149秒的交流等离子体微弧氧化表面处理,可在AM60镁合金表面形成55~65μm厚的组织致密、均匀的厚保护层。
申请公布号
CN102127789B
申请公布日期
2012.06.27
申请号
CN201110101490.0
申请日期
2011.04.22
申请人
北京交通大学
发明人
张鹏;杜云慧;刘汉武
分类号
C25D11/30(2006.01)I
主分类号
C25D11/30(2006.01)I
代理机构
代理人
主权项
一种AM60镁合金表面处理方法,采用交流等离子体微弧氧化处理方法对AM60镁合金进行表面处理,其特征在于,在进行表面处理前1分钟开始向处理液中喷入氧气,并在氟化钾浓度为406~408g/L、氢氧化钾浓度为188~190g/L、工频交流电压为114~116V、每升处理液氧气喷入量为0.01~0.016L/s条件下,对AM60镁合金进行119~149秒的交流等离子体微弧氧化表面处理。
地址
100044 北京市海淀区西直门外上园村3号
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