REDUCTION OF THRESHOLD VOLTAGE VARIATION IN TRANSISTORS COMPRISING A CHANNEL SEMICONDUCTOR ALLOY BY REDUCING DEPOSITION NON-UNIFORMITIES

摘要

실리콘/게르마늄 합금과 같은 임계치 조정 반도체 물질이, 증진된 증착 균일성을 기반으로 하여, 일 타입의 트랜지스터들에 대해 선택적으로 제공될 수 있다. 이러한 목적으로, 반도체 합금이, 임의의 트랜지스터들의 활성 영역들에 증착될 수 있고, 이후, 제어가능성이 높은 패터닝 방식을 기반으로 하여 패터닝될 수 있다. 결과적으로, 임계치 가변성이 감소될 수 있다.