| 发明名称 |
Phase change memory materials |
| 摘要 |
Phase change memory materials and more particularly GeAs telluride materials useful for phase change memory applications, for example, optical and electronic data storage are described. |
| 申请公布号 |
US8206804(B2) |
申请公布日期 |
2012.06.26 |
| 申请号 |
US20090503156 |
申请日期 |
2009.07.15 |
| 申请人 |
AITKEN BRUCE GARDINER;SMITH CHARLENE MARIE;CORNING INCORPORATED |
发明人 |
AITKEN BRUCE GARDINER;SMITH CHARLENE MARIE |
| 分类号 |
B32B3/02;G11B7/243;G11B7/253 |
主分类号 |
B32B3/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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