ÉLÉMENT MEMRISTIF ET MÉMOIRE ÉLECTRONIQUE BASÉE SUR DE TELS ÉLÉMENTS

摘要

Elément mémristif (M) formé par : - une première électrode (10) ; - une deuxième électrode (30) ; et - une région active (20) en contact électrique direct avec lesdites première et deuxième électrodes, caractérisé en ce que ladite région active comprend une couche mince d'un composé d'insertion d'au moins un métal alcalin, de type oxyde ou chalcogénure d'au moins un métal de transition, présentant une conductivité de nature à la fois électronique et ionique. Mémoire électronique de type non volatile constituée par une pluralité de tels éléments mémristifs.