| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure d'interconnexion d'un circuit intégré, comprenant les étapes consistant à : former un premier élément conducteur (F1, F1') dans une première couche diélectrique (D1) ; déposer une première couche d'arrêt de gravure (S1) au-dessus du premier élément conducteur et de la première couche diélectrique ; former une ouverture dans la première couche d'arrêt de gravure au-dessus du premier élément conducteur, pour former une première zone de connexion ; déposer une seconde couche diélectrique (D2) au-dessus de la couche d'arrêt de gravure et au-dessus du premier élément conducteur dans la zone de connexion ; graver la seconde couche diélectrique pour former au moins un orifice qui est au moins partiellement aligné avec la zone de connexion ; et remplir l'orifice avec un matériau conducteur (C2) pour former un second élément conducteur (F2, F2') en contact électrique avec le premier élément conducteur. |
