摘要 |
<p>L'invention a trait, entre autres, à un transistor (200) à haute mobilité électronique (HEMT) doté d'une couche de nitrure de gallium et d'indium (208) faisant partie d'une pluralité de sous-couches barrières (212, 214) et à des procédés de fabrication d'un tel HEMT.</p> |