| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant des étapes consistant à : former au moins deux photosites dans un substrat de semi-conducteur , former une tranchée entre les photosites, former une fine couche au moins sur les parois latérales de la tranchée, déposer un matériau conducteur présentant un premier indice de réfraction dans la tranchée, et former une région entourée par le matériau conducteur et présentant un second indice de réfraction inférieur au premier indice de réfraction dans le matériau conducteur dans la tranchée.</p> |
