| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un photodétecteur pour une radiation lumineuse infrarouge d'une longueur d'onde donnée (λ) comprenant un empilement de couches avec : - une couche (11) d'un matériau semi-conducteur partiellement absorbant, - une couche (12) d'espacement en un matériau transparent à ladite longueur d'onde, et - un miroir métallique structuré (13), la distance (g) entre le sommet dudit miroir et ladite couche d'espacement étant inférieure àλet ledit miroir présentant un réseau de trous définissant un réseau de reliefs métalliques avec un pas P compris entre 0,5λ/nSC et 1,5λ/nSC, où nSC est la partie réelle de l'indice de réfraction du matériau semi-conducteur, une largeur L de relief comprise entre 9P/10 et P/2 et une profondeur h de trou comprise entreλ/100 etλ/15.</p> |
