磁性记忆体结构及操作方法

摘要

一种磁性记忆体结构，包括一记忆轨道，具有连续的多个磁区，每一个该磁区有一位元的记忆容量。又，一第一磁壁注入层与该记忆轨道的一端点交叉连接，且固定储存一第一位元资料。一第二磁壁注入层相对于该第一磁壁注入层与该记忆轨道的该端点交叉连接，且固定储存与该第一位元资料相异的一第二位元资料。第一磁壁注入层与第二磁壁注入层的其一与记忆轨道之间构成一磁壁。