非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，包括一基板、一绝缘层、一电荷储存层、一多层穿隧介电结构及一闸极电极。基板具有一通道区，绝缘层设置于通道区上。电荷储存层设置于绝缘层上，多层穿隧介电结构设置于电荷储存层上，闸极电极设置于多层穿隧介电结构上。