发明名称 晶片电阻器及其制造方法
摘要 晶片基板1之上面中,在邻接其左右两端面1a、1b的部位形成端子电极2,3,在此两端子电极间的部位形成弯折状的电阻膜4,前述两端子电极的内侧面2a、3a中,在邻接前述晶片基板的其中一方或另一方之侧面1c、1d的部位,一方面一体设置朝向其间之电阻膜而突出的凸处5,6,一方面使得一体设置在前述电阻膜两端的细幅部7,8电气连接于前述凸处而成的晶片电阻器,避免因前述电阻膜与前述两端子电极之相互间的偏差,使耐波动特性降低。;前述凸处5,6之左右两侧面中,与前述晶片基板之其中一方或另一方之侧面相反侧之向内的侧面5b、6b,形成前述凸处之先端为狭小的倾斜面。
申请公布号 TWI366837 申请公布日期 2012.06.21
申请号 TW094102923 申请日期 2005.01.31
申请人 罗沐股份有限公司 日本 发明人 米田将记
分类号 H01C7/00 主分类号 H01C7/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本