| 摘要 |
一种半导体装置和制造此种半导体装置之方法，系藉由在基板(30)和在闸极电极(32)之上沉积间隔件层(34)而形成间隔件(46)，并于间隔件层(34)上形成保护层(42)。乾蚀刻该保护层(42)以留下薄膜侧壁于间隔件层(34)上。然后蚀刻间隔件层(34)，以保护层(42)保护该间隔件层(34)之外侧侧壁。此蚀刻制造于闸极上之间隔件(46)，该间隔件(46)具有平行延伸于闸极电极侧壁(38)之实质垂直之侧壁(52)。I型之间隔件(46)防止于源极/汲极离子植入制程期间之冲穿，提供改良之源极/汲极植入剂量轮廓(dose profile,浓度分布，本文中依原文字译称为剂量轮廓)。 |
