| 发明名称 |
藉由氢化物汽相磊晶术生长减少差排密度之非极性氮化镓 |
| 摘要 |
本发明系关于藉由氢化物汽相磊晶术(HVPE)横向磊晶过生长(LEO)非极性a平面氮化镓(GaN)膜，其产生明显减少之缺陷密度。 |
| 申请公布号 |
TWI366865 |
申请公布日期 |
2012.06.21 |
| 申请号 |
TW092135555 |
申请日期 |
2003.12.16 |
| 申请人 |
美国加利福尼亚大学董事会 美国;独立行政法人科学技术振兴机构 日本 |
发明人 |
班哲明Ａ 哈斯克;麦克Ｄ 克拉芬;保罗Ｔ 菲尼;史帝芬Ｐ 巴尔斯;詹姆士Ｓ 史贝克;中村修治 |
| 分类号 |
H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
