Gering diffundierte Drain- und Sourcegebiete in CMOS-Transistoren für Anwendungen mit hoher Leistungsfähigkeit und geringer Leistung

摘要

Drain- und Sourcegebiete werden zumindest teilweise durch ein in-situ-dotiertes epitaktisch aufgewachsenes Halbleitermaterial für komplementäre Transistoren in komplexen Halbleiterbauelementen hergestellt, die für hohes Leistungsvermögen bei geringer Leistungsaufnahme ausgelegt sind. Dazu werden Aussparungen mit in-situ-dotiertem Halbleitermaterial wieder aufgefüllt, das in einigen anschaulichen Ausführungsformen auch für eine gewünschte Verformung in den Kanalgebieten der komplementären Transistoren sorgt.