Erhöhung der Selektivität während der Herstellung einer Kanalhalbleiterlegierung durch einen nassen Oxidationsprozess

摘要

Verfahren mit: Bilden einer Oxidschicht auf einem ersten aktiven Gebiet und einem zweiten aktiven Gebiet eines Halbleiterbauelements durch Ausführen eines Nassoxidationsprozesses; Entfernen der Oxidschicht selektiv von dem ersten aktiven Gebiet; Bilden einer Schicht aus Halbleiterlegierung auf dem ersten aktiven Gebiet und Verwenden der Oxidschicht auf dem zweiten aktiven Gebiet als eine Aufwachsmaske; Entfernen der Oxidschicht von dem zweiten aktiven Gebiet; und Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur eines ersten Transistors auf der Schicht aus Halbleiterlegierung und einer zweiten Gateelektrodenstruktur eines zweiten Transistors auf dem zweiten aktiven Gebiet, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur eine Gateisolationsschicht und ein Metall enthaltendes Gateelektrodenmaterial aufweist und wobei die Gateisolationsschicht ein dielektrisches Material mit großem &egr; enthält.